Shenyang Starlight Advanced Ceramics Co., Ltd har alltid insisterat på kontinuerlig forskning och utveckling och innovation av teknologi, och har upprätthållit ett nära samarbete med stora universitet och forskningsinstitut i många år. Den här gången hade vi turen att bjuda in professor Ru från Northeastern University att komma till vårt företag för akademiska utbyten med oss ​​och svara på våra frågor om de problem som uppstår i själva tillverkningsprocessen av kiselkarbid.

Betydelsen av akademisk diskussion är inte bara att förbättra processen och kvaliteten på våra kiselkarbidprodukter, utan också att kontinuerligt utforska nya möjligheter genom kommunikation med professorer, och att generera inspiration inom området kiselkarbid genom kommunikation.

Det är inte tillrådligt att förbli oförändrad ikiselkarbid produktionsprocess, så vi måste ständigt lära av omvärlden, lära oss ny kunskap och teorier och fortsätta att studera och öva för att söka nya genombrott. På detta sätt, oavsett om det är för att minska kostnaderna och öka effektiviteten eller för att förbättra produktionsprocessen av kiselkarbid, kommer det att finnas genomförbara sätt och metoder.‌

Kiselkarbid representerar oöverträffad excellens i högpresterande material, utmärkande genom sin exceptionellvärmeledningsförmåga (≈120–490 W/m·K), "ultra hög hårdhet". (~25 GPa), och ‌Inneboende motståndskraft mot termisk nedbrytning‌ upp till 1 650°C i inerta miljöer. Dess ‌försumbar termisk expansion‌ (4,0×10⁻⁶/K) säkerställer dimensionsstabilitet under extrem termisk cykling, samtidigt som överlägsen kemisk tröghet mot syror, smälta metaller och oxidationsmedel stödjer livslängden i korrosiva miljöer. SiC ‌bred bandgap halvledaregenskaper‌ (3,3 eV) möjliggör ytterligare genombrott inom högspänningselektronik och optoelektronik. Tillsammans med "strålningsmotstånd". och låg densitet (3,21 g/cm³), SiC framstår som det avgörande materialet för flyg-, kärnkrafts- och nästa generations energisystem som kräver effektivitet, hållbarhet och precision.

Våra tekniker konsulterade professorn utifrån de problem som uppstår i själva tillverkningsprocessen av omkristalliserad kiselkarbid, reaktionssintrad kiselkarbid och kiselnitrid i kombination med kiselkarbid. Professorn började med materialvetenskapens egenskaper som atomär partikeldensitet, och integrerade sedan de problem som kan uppstå i själva produktionsprocessen och vilka element som påverkar tätheten hos den gröna kroppen, porositet, materialförhållande och basförhållande, och besvarade dem en efter en. Genom denna kommunikation och diskussion med professorn kommer vi att fortsätta att försöka optimera den befintliga formeln och processflödet, och sträva efter att förbättra produktprocessen för att bättre betjäna våra kunder.